[发明专利]稀释液制造方法以及稀释液制造装置有效
申请号: | 201580048053.3 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN106688082B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 林佳史;山下幸福;山中弘次;矢野大作 | 申请(专利权)人: | 奥加诺株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B01F1/00;B01F3/08;B01F5/00;B01F15/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的稀释液制造方法通过对第一液体添加第二液体来制造该第二液体的稀释液,该稀释液制造方法包括以下步骤:使第一液体在第一配管(11)中流动;对用于贮存第二液体的罐体(12)内的压力进行控制,通过将罐体(12)与第一配管(11)连接的第二配管(13)来将第二液体添加到第一配管(11)内的第一液体。添加第二液体的步骤中包括以下步骤:测定第一配管(11)内流动的第一液体的流量或稀释液的流量;测定稀释液的成分浓度;以及基于流量的测定值和成分浓度的测定值来控制罐体(12)内的压力,使得稀释液的成分浓度为规定值。 | ||
搜索关键词: | 稀释液 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种稀释液制造方法,通过对第一液体添加第二液体来制造该第二液体的稀释液,该稀释液制造方法包括以下步骤:使所述第一液体在第一配管中流动;以及对用于贮存所述第二液体的罐体内的压力进行控制,通过用于将所述罐体与所述第一配管连接的第二配管来将所述第二液体添加到在所述第一配管内流动的所述第一液体,其中,在添加所述第二液体的步骤中包括以下步骤:测定在所述第一配管内流动的所述第一液体的流量或所述稀释液的流量;测定所述稀释液的成分浓度;测定所述第一配管内的压力;以及基于所述流量的测定值、所述成分浓度的测定值和所述压力的测定值,来控制所述罐体内的压力,使得所述稀释液的成分浓度为规定值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造