[发明专利]用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制备方法有效
申请号: | 201580047842.5 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN106796962B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 尹锡喜;朴银珠;李豪燮;尹锡炫 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18;C09D11/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;赵丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制造方法,所述前体包含:(a)聚集相复合体,其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相和包含含锌(Zn)硫属化物的第二相,或者包括包含Cu‑Sn双金属的第一相、包含含Zn硫属化物的第二相和包含含Cu硫属化物的第三相;或者(b)核‑壳结构纳米颗粒,其包括包含Cu‑Sn双金属纳米颗粒的核和包含含Zn硫属化物或含Zn硫属化物和含Cu硫属化物的壳;或者(c)其混合物。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 太阳能电池 光吸收 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备太阳能电池的光吸收层的前体,包含:(a)聚集相复合体,其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相和包含含锌(Zn)硫属化物的第二相,或者包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相、包含含锌(Zn)硫属化物的第二相和包含含铜(Cu)硫属化物的第三相;或者(b)核‑壳结构纳米颗粒,其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属纳米颗粒的核和包含含锌(Zn)硫属化物的壳或含锌(Zn)硫属化物和含铜(Cu)硫属化物的壳;或者(c)(a)和(b)的混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580047842.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种悬挂式多功能计算机机箱
- 下一篇:一种侧流道强制对流底排式计算机机箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的