[发明专利]集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构有效
| 申请号： | 201580047745.6 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106660782B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | P·斯迈斯 | 申请（专利权）人： | 因文森斯公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种提供CMOS‑MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底，并且利用第二接合步骤将MEMS致动器衬底接合至MEMS握把衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 集积式 cmos mems 传感器 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提供CMOS‑MEMS结构的方法，其包含：图型化MEMS致动器层上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属以产生经图型化的第一顶端金属及经图型化的第二顶端金属；其中该MEMS致动器层及该CMOS衬底于其上包括氧化层，其围绕该经图型化的第一顶端金属及该经图型化的第二顶端金属；蚀刻该MEMS致动器层及该CMOS衬底上的该氧化层的部分；利用第一接合步骤将该MEMS致动器层的该经图型化的第一顶端金属接合至该CMOS衬底的该经图型化的第二顶端金属；蚀刻该MEMS致动器层以释离可动结构；以及利用第二接合步骤将该MEMS致动器层接合至MEMS握把层。
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