[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法

摘要

半导体制造装置向设置于反应炉内的基板供给原料气体而进行对基板的成膜处理，其具备：收纳容器，其配置于反应炉内，且收容成为原料气体的来源的金属原料；辅助容器，其在反应炉内配置于收纳容器的上方侧，是具有金属原料的放入口的有底容器；连接管，其使形成于辅助容器的流出口与收纳容器内相连通；封堵栓，其以能够对流出口进行开闭的方式封堵该流出口；以及加热部，其将反应炉内加热至使辅助容器内的金属原料以及收纳容器内的金属原料熔融且对基板进行的成膜处理所需的规定温度。

主权项

1.一种半导体制造装置，其向设置于反应炉内的基板供给原料气体而进行对所述基板的成膜处理，所述半导体制造装置的特征在于，具备：收纳容器，其配置于所述反应炉内，且收容成为所述原料气体的来源的金属原料；辅助容器，其在所述反应炉内配置于所述收纳容器的上方侧，是具有所述金属原料的放入口的有底容器；连接管，其使形成于所述辅助容器的所述金属原料的流出口与所述收纳容器内相连通；封堵栓，其以能够对所述流出口进行开闭的方式封堵该流出口；以及加热部，其将所述反应炉内加热至使所述辅助容器内的所述金属原料以及所述收纳容器内的所述金属原料熔融且对所述基板进行的成膜处理所需的规定温度。