[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580044665.5 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN106575688B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吕焕国 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：依次层叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；被设置为隔着所述第一导电型半导体层彼此对应的第一导电型上电极部分和第一导电型下电极部分；被设置为隔着所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层彼此对应的第二导电型上电极部分和第二导电型下电极部分；以及将所述第二导电型上电极部分和所述第二导电型下电极部分电连接的第二导电型电极连接部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；被设置为隔着所述第一导电型半导体层彼此对应的第一导电型上电极部分和第一导电型下电极部分；被设置为隔着所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层彼此对应的第二导电型上电极部分和第二导电型下电极部分；以及将所述第二导电型上电极部分和所述第二导电型下电极部分电连接的第二导电型电极连接部分，其中，所述第一导电型上电极部分被设置在所述第一导电型半导体层的通过穿透所述第二导电型半导体层和所述有源层的电极孔暴露的一个表面上，其中，多个第二导电型上电极部分被设置为以所述第一导电型上电极部分为中心在外周方向上彼此间隔开，并且其中，多个第二导电型下电极部分被设置为以所述第一导电型下电极部分为中心在所述外周方向上彼此间隔开。
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