[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201580044488.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106575687B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李俊熙;李美姬 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层的发光结构，发光结构具有穿过有源层和第二导电型半导体层形成以暴露第一导电型半导体层的第二孔；反射金属层；覆盖金属层；第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的电极层，该电极层覆盖第一绝缘层并填充第二孔；设置在发光结构上的电极焊盘，其中，发光结构具有形成在覆盖金属层上方的第一孔，电极焊盘在覆盖金属层上方形成在发光结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：/n发光结构，其包括：第二导电型半导体层；第一导电型半导体层，其设置在所述第二导电型半导体层上；和有源层，其设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间，所述发光结构具有穿过所述有源层和所述第二导电型半导体层形成以暴露所述第一导电型半导体层的多个第二孔；/n反射金属层，其设置在所述发光结构下面并且接触所述发光结构的一部分；/n覆盖金属层，其设置在所述反射金属层下面并且接触所述反射金属层的至少一部分；/n第一绝缘层，其设置在所述覆盖金属层下面并且覆盖所述反射金属层和所述覆盖金属层；/n电极层，其设置在所述第一绝缘层下面，所述电极层覆盖所述第一绝缘层并且填充所述多个第二孔；以及/n电极焊盘，其设置在所述发光结构上，/n其中，发光结构具有形成在所述覆盖金属层上方的第一孔，所述电极焊盘在所述覆盖金属层上方形成在所述发光结构上，/n其中，所述覆盖金属层不形成在所述多个第二孔之间。/n
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