[发明专利]相控晶闸管

摘要

公开晶闸管，特别是相控晶闸管，其包括：a）半导体片，特别是半导体晶圆或管芯，其中形成晶闸管结构，b）在半导体片的阴极侧表面上的阴极区上形成的阴极金属化，c）在半导体片的阴极侧表面上的栅极区上形成的栅极金属化，d）布置在阴极区中的点Pi处的多个N个离散发射极短路，所述点具有点位置xi，其中，e）点Pi，该点定义Delaunay三角剖分，其包括多个三角形Tj，其中，其中f）对于三角形Tl的第一子集，其中，g）其中每个三角形Tl由具有值qT,l的几何量表征，其中，所述几何量具有均值μ，以及i）值qT,l（其中）的变异系数小于0.1，优选地小于0.05，和/或ii）几何量qT,l（其中）的偏斜的绝对值小于5，优选地小于1，和/或iii）几何量qT,l（其中）的峰度小于20，优选地小于10，和/或iv）对于三角形Tm（其中）的第二子集，针对其的相应几何量qT,m（其中）与均值偏离超过预定量，特别超过30%，1）量qT,m（其中

主权项

一种晶闸管，特别是相控晶闸管，包括：a）半导体片，特别是半导体晶圆或管芯，其中形成晶闸管（100，100’）结构，b）在所述半导体片的阴极侧（102）表面上的阴极区上形成的阴极金属化（114），c）在所述半导体片的所述阴极侧表面上的栅极区上形成的栅极金属化（118），d）布置在在所述阴极区中的点Pi处的多个N个离散发射极短路（128），所述点具有点位置xi，其中，e）所述点Pi，所述点定义Delaunay三角剖分，其包括多个三角形Tj，其中，其特征在于f）对于三角形Tl的第一子集，其中，特别地，g）其中每个三角形Tl由具有值qT,l的几何量表征，其中，所述几何量具有均值μ，并且i）所述值qT,l的变异系数小于0.1，优选地小于0.05，其中,和/或ii）所述几何量qT,l的偏斜的绝对值小于5，优选地小于1，其中,和/或iii）所述几何量qT,l的峰度小于20，优选地小于10，其中,和/或iv）对于三角形Tm的第二子集，其中,针对其相应几何量qT,m与所述均值偏离超过预定量，特别偏离超过30%，其中1）所述量qT,m的标准偏差与所述几何量qT,l的均方值的商小于1，优选地小于0.1，其中,其中,和/或2）所述第二子集中三角形的数量与所述第一子集中三角形的数量的商小于1.0×10‑2，优选地小于0.5×10‑3。