[发明专利]单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件有效
| 申请号： | 201580039728.8 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106574393B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 辰巳夏生;西林良树;角谷均 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;B23B27/14;B23B27/20;B24B53/047;C23C16/27 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 及其 制造 方法 包含 工具 部件 | ||
【主权项】：
1.一种单晶金刚石，其中在所述单晶金刚石的晶体生长主表面的X射线形貌照片中，晶体缺陷点的组聚集而存在，各个所述晶体缺陷点是到达所述晶体生长主表面的晶体缺陷线的前端点，所述晶体缺陷线表示其中存在晶体缺陷的线，其中在所述单晶金刚石的晶体生长主表面的X射线形貌照片中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域，并且在所述多个晶体缺陷线状聚集区域中，晶体缺陷点的组聚集并在相对于<100>方向成30°以内的角的方向上以线状延伸，各个所述晶体缺陷点是到达所述晶体生长主表面的晶体缺陷线的前端点，所述晶体缺陷线表示其中存在晶体缺陷的线。
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