[发明专利]两步沉积法

摘要

本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中第二腔室中的压力高于高真空。本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力。本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。

主权项

1.一种用于生产晶体材料的层的方法，所述晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，所述方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中，以在所述基板上产生所述第一前体化合物的层；以及(ii)使所述第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中，以产生所述晶体材料的层，其中，所述第一腔室中的压力小于或等于10^‑3毫巴；所述第二腔室中的压力大于或等于1毫巴；所述第一前体化合物包括一种或多种第一阳离子，以及一种或多种第一阴离子；以及所述第二前体化合物包括一种或多种有机阳离子，以及一种或多种第二阴离子。