[发明专利]有沟槽引导式光纤加热的温度控制设备、基板温度控制系统、电子器件处理系统及处理方法有效
| 申请号： | 201580032721.3 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106463404B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 马修·巴斯彻;小温德尔·博伊德;德米特里·A·季利诺;维贾伊·D·帕克赫;迈克尔·R·赖斯;利昂·沃尔福夫斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。描述了基板温度控制系统、电子器件处理系统、及包括沟槽引导式光纤温度控制和测量的方法作为许多其它的构想。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 引导 光纤 加热 温度 控制 设备 控制系统 电子器件 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板温度控制设备，包含：/n下部构件；/n邻近所述下部构件的上部构件，所述上部构件具有上表面；/n多个沟槽，所述沟槽形成在所述上部构件和所述下部构件之一者或更多者中，所述多个沟槽被定位为平行于所述上部构件的所述上表面延伸；及/n多条光纤，所述光纤在所述沟槽内横向延伸并且适于提供基于光的加热。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580032721.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
