[发明专利]硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201580029564.0 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106463403B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 工藤智司;中村浩三;村中寿行;松田脩平;金大基;平木敬一郎 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该制造方法包括：薄切含有硼作为受体的单晶硅以得到未热处理硅晶片的工序；对于未热处理硅晶片求出硼浓度的工序；对于未热处理硅晶片求出氧供体浓度的工序；和基于求出硼浓度的工序中求出的硼浓度和求出氧供体浓度的工序中求出的氧供体浓度，判断是否对未热处理硅晶片实施在300℃以上的温度下的热处理。由此，可得到晶片上的偏在LPD减少的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅晶片的制造方法，其特征在于，对于未热处理硅晶片，在硼浓度为5×1014个原子/cm3以上且7×1014个原子/cm3以下、并且氧供体浓度为4×1014个/cm3以上且8×1014个/cm3以下的情况下，对上述未热处理硅晶片实施在300℃以上的温度下的热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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