[发明专利]3D TCAD仿真

摘要

经历处理的集成电路的第一表示被变换成经历处理的集成电路的第二表示。第二表示包括与第一表示相关的附加的掺杂剂。该变换通过将掺杂剂的二维横向剖面与掺杂剂的一维深度剖面进行组合来从在第一组工艺条件下利用掩膜添加第一掺杂剂中生成三维掺杂剂分布。从存储从在第一组工艺条件下的第一掺杂剂的第一添加的较早的工艺仿真中选择的结果的数据库中检索掺杂剂的一维深度剖面。通过将掩膜与横向扩散函数进行卷积或在没有卷积的情况下从2D扩散方程的至少一个解来从在第一组工艺条件下利用与第一掺杂剂相对应的第一掩膜添加第一掺杂剂中生成二维横向掺杂剂剖面。

主权项

一种非瞬态计算机可读存储介质，具有存储在其上的多个指令，所述多个指令当由处理器运行时将经历处理的集成电路的第一表示变换成经历处理的所述集成电路的第二表示，经历处理的所述集成电路的所述第二表示包括与经历处理的所述集成电路的所述第一表示相关的附加的掺杂剂，所述多个指令包括执行以下操作的指令，所述操作包括：在第一组工艺条件下执行第一掺杂剂的第一添加的工艺仿真以生成所述第一掺杂剂的一维横向剖面和所述第一掺杂剂的一维深度剖面；使用至少扩散方程来从在第一组工艺条件下利用与所述第一掺杂剂相对应的第一掩膜添加所述第一掺杂剂中生成二维横向掺杂剂剖面，所述扩散方程利用来自所述一维横向剖面的扩散长度数据来被定制；以及通过将所述掺杂剂的二维横向剖面与所述掺杂剂的所述一维深度剖面进行组合来从在所述第一组工艺条件下利用所述掩膜添加所述第一掺杂剂中生成三维掺杂剂分布。