[发明专利]用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201580028144.0 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106413976B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 竹内顺一;伊藤洋树 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | B23K35/14 | 分类号： | B23K35/14;B23K20/04;B23K35/30;H01L23/02;C22C5/06;C22C5/08;C22C38/00;C22C38/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;常海涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明以提供用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法为课题，该包层材料的冲压加工性优异，并且由可伐和银系钎料构成。在可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中该面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，该可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 部件 气密 密封 包层 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电子部件的气密密封的包层材料，其为具有银系钎料层和可伐层的用于电子部件的气密密封的包层材料，其中，在所述可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中所述面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，所述可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。
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