[发明专利]空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580028112.0 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106471057A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 中杉茂正;绢田贵史;能谷刚 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料（卢森堡）有限公司 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;C08G61/12;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216 | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢森堡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为非取代或者取代了的芳香族基团，L1～L2分别独立地从由氧、硫、烷基、砜、酰胺、酮或者下述通式(3){式中，Ar3为芳香族基团，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子}组成的组中选出。] | ||
| 搜索关键词： | 空隙 形成 组合 具备 使用 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元，式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为包含1个以上的苯环的芳香族基团，所述芳香族基团也可被从由烷基、芳基、烷氧基、硝基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺、羧基、磺酸酯、烷基氨基以及芳基氨基组成的组中选出的取代基取代，L1～L2分别独立地从由氧、硫、亚烷基、砜、酰胺、羰基或者下述通式(3)组成的组中选出，式中，Ar3为包含1个以上的苯环的芳香族基团，所述芳香族基团也可被从由烷基、芳基、烷氧基、硝基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺、羧基、磺酸酯、烷基氨基以及芳基氨基组成的组中选出的取代基取代，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子。
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