[发明专利]高击穿n型埋层有效
| 申请号： | 201580020171.3 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106233439B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | S·P·彭哈卡;B·胡;H·L·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/26 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所述示例中，半导体器件(100)具有通过以高剂量和低能量将锑和/或砷注入到p型第一外延层(104)中，并且以低剂量和高能量注入磷形成的n型埋层(108)。热驱动过程扩散和激活重掺杂剂和磷二者。锑和砷不显著扩散，保持用于埋层(108)的主层(114)的窄分布。磷扩散以提供在主层(114)下方的几微米厚的轻掺杂层(120)。外延p型层(106)在埋层(108)上方生长。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 型埋层 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其包括p型半导体材料；以及n型埋层，其布置在所述衬底中；所述n型埋层包括：具有大于5×1018cm‑3平均掺杂密度的2微米至10微米厚的主层，其中在所述主层中的至少50百分比的n型掺杂剂选自由锑和砷组成的组，以及其中所述主层的顶表面在所述衬底的顶表面下方至少5微米；以及轻掺杂层在所述主层下方延伸至少2微米，所述轻掺杂层具有1×1016cm‑3至1×1017cm‑3的平均掺杂密度，其中在轻掺杂层中的至少90百分比的n型掺杂剂是磷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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