[发明专利]电子线装置有效
申请号: | 201580019322.3 | 申请日: | 2015-04-22 |
公开(公告)号: | CN106165054B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 野间口恒典;扬村寿英 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01J37/04 | 分类号: | H01J37/04;H01J37/12;H01J37/141;H01J37/145;H01J37/28 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴;严星铁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 电子线装置中,难以受到外部干扰的影响且兼得高空间分辨率和高亮度。电子线装置中,例如在产生电子线的电子源(101)与使电子线聚集在试料(114)上的物镜之间,在电子源(101)侧配置高电压的射线管(110),并在低物镜侧配置低电压的射线管(112)。由此,即使是具备能动地向试料泄漏磁场的类型的物镜的SEM,也能够维持空间分辨率同时实现高亮度化。 | ||
搜索关键词: | 电子线 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子线装置,其具备:电子源,其产生电子线;以及物镜,其使电子线聚集在试料上,上述电子线装置的特征在于,在上述电子源与上述物镜下表面之间,在电子源侧配置能够设定电压的第一射线管,并在物镜侧配置与上述第一射线管不同的能够设定电压的第二射线管,并具备输入装置,该输入装置能够选择使上述第一射线管的电压比上述第二射线管的电压高的模式,其中,上述物镜包括半浸没透镜类型或者单极透镜类型的物镜模式,并且还包括外部透镜类型的物镜模式;在使用半浸没透镜类型或者单极透镜类型的物镜模式的情况下,成为向上述第一射线管施加比上述第二射线管高的电压的模式。
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