[发明专利]掩模坯料、相位位移掩模及其制造方法

摘要

本发明提供一种掩模坯料，其具有透明基板、形成于所述透明基板上的半透明层、形成于所述半透明层上的中间层、和形成于所述中间层上的遮光层，所述遮光层由不含过渡金属的单一金属材料构成，所述遮光层的膜厚为40nm以下，层叠有所述半透明层、所述中间层、所述遮光层的3种层的层叠体相对于曝光光的光学密度，为作为遮光区域发挥功能的值以上；因此，其可用于制造即使遮光图案膜减薄仍具有高遮光性，可减小EMF偏差值，图案加工性、耐光性、耐药品性优异，适合于晶圆上的半间距40nm以下的光刻技术的半色调型相位位移掩模。

主权项

1.一种掩模坯料，是用于制造应用ArF准分子激光曝光光的半色调型相位位移掩模，其特征在于，包含有透明基板、形成于所述透明基板上且控制所述曝光光的相位及透过率的半透明层、形成于所述半透明层上的中间层、与形成于所述中间层上的遮光层；所述遮光层由不含过渡金属的单一金属材料构成，所述遮光层的膜厚为40nm以下；层叠有所述半透明层、所述中间层、所述遮光层的3种层的层叠体相对于所述曝光光的光学密度，为作为遮光区域发挥功能的值以上。