[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法

摘要

本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。

主权项

1.一种阻气膜，其包含基材膜及无机层，所述无机层含有Si、N、H及O，所述无机层在膜厚方向中央部中，以6nm以上的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且由以下式表示的O比率为10％以下的均匀区域，与所述无机层的任意一个接触或两个界面分别接触的区域为含氧区域，所述含氧区域中，由以下式表示的O比率从所述均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm，O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％。