[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
申请号: | 201580012852.5 | 申请日: | 2015-04-06 |
公开(公告)号: | CN106104768B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 安田健太;久保田徹;近藤崇;石田胜广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;张会华<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序:准备等离子体处理装置的工序,该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈;将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序;向所述腔室内导入处理气体的工序;向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序;以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理方法,其中,/n该等离子体处理方法包括如下工序:/n准备等离子体处理装置的工序,该等离子体处理装置具有:腔室;下部电极,其配置在所述腔室内;上部电极,其配置在所述腔室内,与所述下部电极相对;聚焦环,其配置在所述腔室内,将所述下部电极的周缘包围起来;以及电磁体,其配置于所述上部电极的上部上,并与载置在所述下部电极上的基板同心状配置,整体呈环状,具有芯构件以及多个环状线圈,其中,所述芯构件具有一体形成有基部、柱状部以及多个圆筒部的构造,所述基部具有大致圆板形状,所述柱状部和所述多个圆筒部配置为从所述基部的下表面向下方突出,在所述柱状部与距离所述柱状部最近的圆筒部之间、以及各相邻圆筒部之间划分出用于收容所述多个环状线圈的槽,各环状线圈呈环状,并且各环状线圈之间呈同心状配置,各环状线圈均与所述上部电极和所述下部电极同心状配置,所述多个环状线圈包括位于所述下部电极的外周的外侧的1个环状线圈和位于所述下部电极的外周的内侧的其它环状线圈;/n将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序;/n向所述腔室内导入处理气体的工序;/n向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序;以及/n向所述1个环状线圈供给电流、使该环状线圈产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;株式会社东芝,未经东京毅力科创株式会社;株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580012852.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造