[发明专利]导电糊和用于使用其制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201580003406.8 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105934799B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 雷蒙德·迪茨;马切伊·帕特尔卡;凯西·肖·特朗勃;坂井德幸;山口博 | 申请（专利权）人： | 纳美仕有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 牛海军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电糊和一种用于使用所述导电糊制造半导体装置的方法，所述导电糊不含有害材料如铅、砷、碲或锑，并且可以不仅在较低温度(例如，在370℃以下)实现粘合，而且甚至在较高温度(例如，在300至360℃)也保持粘合强度。本发明提供一种导电糊，其包含(A)导电粒子、(B)基本上不含铅、砷、碲和锑的玻璃料以及(C)溶剂，其中所述玻璃料(B)具有320至360℃的再熔温度，其中所述再熔温度由通过差示扫描量热计所测量的DSC曲线中的吸热量为20J/g以上的至少一个吸热峰的峰顶部指示。所述导电糊优选还包含(D)选自由氧化锡、氧化锌、氧化铟和氧化铜组成的组的氧化物。玻璃料(B)优选包含(B‑1)Ag2O、(B‑2)V2O5和(B‑3)MoO3。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 用于 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电糊，其包含(A)导电粒子、(B)不含铅、砷、碲和锑的玻璃料，(C)溶剂以及(D)选自由氧化锡、氧化锌、氧化铟和氧化铜组成的组的至少一种金属氧化物，所述玻璃料(B)具有320至360℃的再熔温度，其中所述再熔温度由通过差示扫描量热计所测量的DSC曲线中的吸热量为20J/g以上的至少一个吸热峰的峰顶部指示，其中，基于所述导电糊的质量，以60至85质量％的量包含所述导电粒子(A)，以5至35质量％的量包含所述玻璃料(B)，以5至10质量％的量包含所述溶剂(C)，并且以0.1至5质量％的量包含所述金属氧化物(D)。
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