[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备有效
| 申请号： | 201580001216.2 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105493298B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备。该用于微发光二极管转移的方法包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管，其中，该微发光二极管是横向微发光二极管，其中该横向微发光二极管的P电极和N电极位于同一侧；使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触；以及从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离横向微发光二极管。采用横向微发光二极管的一个效果在于，可以省略微发光二极管转移之后的N金属电极处理。 | ||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 衬底 电子设备 发光二极管 衬底剥离 激光照射 预先设置 透明的 接垫 制造 激光 | ||
【主权项】：
一种用于微发光二极管转移的方法，包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管，其中，该微发光二极管是横向微发光二极管，其中该横向微发光二极管的P电极和N电极位于同一侧；使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触；以及从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离横向微发光二极管，其中，通过向所述接垫施加电压来施加静电力，利用所述静电力的作用，使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触。
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