[实用新型]一种高耐压台面二极管芯片有效
| 申请号： | 201520982829.6 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205231039U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李朝晖;李健儿;冯艾诚;胡仲波;陈华明;冯永 | 申请（专利权）人： | 四川上特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 胡林 |
| 地址： | 629200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高耐压台面二极管芯片，属于芯片制造技术领域。本实用新型的芯片包括PN结和钝化膜层，其特征在于：所述PN结的N区外侧设有N+层；所述钝化膜层包覆在PN结外部的台面侧壁，所述钝化膜层包括从下到上依次设置的掺氧半绝缘多晶硅层、玻璃层和不掺杂氧化硅层。与现有技术相比，本实用新型具有耐压强度高，生产周期短，成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 台面 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种高耐压台面二极管芯片，包括PN结（1）和钝化膜层（2），其特征在于：所述PN结（1）的N区（11）外侧设有N+层（3）；所述钝化膜层（2）包覆在PN结（1）外部的台面侧壁，所述钝化膜层（2）包括从下到上依次设置的掺氧半绝缘多晶硅层（21）、玻璃层（22）和不掺杂氧化硅层（23）。
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