[实用新型]一种压力/二维磁场单片集成传感器

摘要

本实用新型公开了一种压力/二维磁场单片集成传感器，该单片集成传感器包括第一磁敏二极管MD1、第二磁敏二极管MD2、第三磁敏二极管MD3、第四磁敏二极管MD4、第一压敏电阻R₁、第二压敏电阻R₂、第三压敏电阻R₃、第四压敏电阻R₄、第一负载电阻R_x1、第二负载电阻R_x2、第三负载电阻R_y3和第四负载电阻R_y4；其中，第一磁敏二极管MD1的正极与第二磁敏二极管MD2的正极构成差分输出，第三磁敏二极管MD3的正极和第四磁敏二极管MD4的正极构成差分输出，两对差分输出实现二维磁场的检测；第一压敏电阻R₁与第四压敏电阻R₄串联，形成第一输出电压V_out1，第二压敏电阻R₂与第三压敏电阻R₃串联，形成第二输出电压V_out2，两个输出电压构成差分输出实现压力的检测。

主权项

一种压力/二维磁场单片集成传感器，其特征在于，该单片集成传感器包括：用来检测二维磁场的X轴方向磁场的第一磁敏二极管(MD1)和第二磁敏二极管(MD2)，用来检测二维磁场的Y轴方向磁场的第三磁敏二极管(MD3)和第四磁敏二极管(MD4)，用来检测压力的第一压敏电阻(R₁)、第二压敏电阻(R₂)、第三压敏电阻(R₃)和第四压敏电阻(R₄)，分别与第一磁敏二极管(MD1)的正极、第二磁敏二极管(MD2)的正极、第三磁敏二极管(MD3)的正极和第四磁敏二极管(MD4)的正极相连的第一负载电阻(R_x1)、第二负载电阻(R_x2)、第三负载电阻(R_y3)和第四负载电阻(R_y4)，和高阻SOI衬底，在其上设置第一磁敏二极管(MD1)、第二磁敏二极管(MD2)、第三磁敏二极管(MD3)、第四磁敏二极管(MD4)、第一压敏电阻(R₁)、第二压敏电阻(R₂)、第三压敏电阻(R₃)、第四压敏电阻(R₄)、第一负载电阻(R_x1)、第二负载电阻(R_x2)、第三负载电阻(R_y3)和第四负载电阻(R_y4)。