[实用新型]一种基于双光电探测器的光电检测电路有效
申请号: | 201520630892.3 | 申请日: | 2015-08-16 |
公开(公告)号: | CN204946900U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 尹洪剑 | 申请(专利权)人: | 重庆电子工程职业学院 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于双光电探测器的光电检测电路,包括第一光电探测器,第二光电探测器和信号处理电路;信号处理电路输入级电路为差动输入电路;第一光电探测器包括第一器件区,第一光电探测器的第一器件区由NPN晶体管的集电区形成,M个第一光电探测器的第二器件区制作在第一光电探测器的第一器件区内,M为小于10的自然数,所述第一光电探测器的第二器件区由NPN晶体管的基区形成,第二光电探测器结构与第一光电探测器结构相同;第二光电探测器表面覆盖有铝膜。本实用新型一种光电检测电路,其光电探测传感器能够与硅双极集成电路工艺兼容,并且具有量子效率高,暗电流小的有益效果;并且其信号处理电路具有能够抑制外部电磁干扰的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光电 探测器 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种基于双光电探测器的光电检测电路,其特征在于,包括第一光电探测器(1),第二光电探测器(2)和信号处理电路(3);所述信号处理电路(3)输入级电路为差动输入电路,信号处理电路(3)输入级电路具有两个输入端:第一输入端INA和第二输入端INB;所述第一光电探测器(1)包括第一器件区(11),所述第一光电探测器的第一器件区(11)由NPN晶体管的集电区形成,第一光电探测器的第一器件区(11)的水平方向截面为正方形;M个第一光电探测器的第二器件区(12)制作在第一光电探测器的第一器件区(11)内,M为小于10的自然数,所述第一光电探测器的第二器件区(12)由NPN晶体管的基区形成,所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成;所述第一光电探测器的第一器件区(11)上设有电极孔,第一光电探测器的第二器件区(12)上设有电极孔;所有设置在第一光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接,连接电节点记为第一光电探测器的第二端子;设置在第一光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出,记为第一光电探测器的第一端子(13);所述第二光电探测器(2)包括第一器件区(21),所述第二光电探测器的第一器件区(21)由NPN晶体管的集电区形成,第二光电探测器的第一器件区(21)的水平方向截面为正方形;M个第二光电探测器的第二器件区(22)制作在第二光电探测器的第一器件区(21)内,M为小于10的自然数,所述第二光电探测器的第二器件区(22)由NPN晶体管的基区形成,所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成;所述第二光电探测器的第一器件区(21)上设有电极孔,第二光电探测器的第二器件区(22)上设有电极孔;所有设置在第二光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接,连接电节点记为第二光电探测器的第二端子;设置在第二光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出,记为第二光电探测器的第一端子(23);所述第二光电探测器(2)表面覆盖有铝膜;所述第一光电探测器(1)和第二光电探测器(2)对称设置在单芯片中;所述第一光电探测器的第一端子(13)与第二光电探测器的第一端子(23)电连接;信号处理电路(3)输入级电路的第一输入端INA与第一光电探测器的第二端子相连接;信号处理电路(3)输入级电路的第二输入端INB与第二光电探测器的第二端子相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的