[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201520455987.6 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN204809247U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LED外延结构，LED外延结构从下向上依次包括衬底，N型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，电子阻挡层，P型GaN层，接触层；P型GaN层和接触层之间还生长有空穴扩展层。空穴扩展层为非故意掺杂的AlxGa(1-x)N层，AlxGa(1-x)N层中x的取值范围为0.05~0.20，AlxGa(1-x)N层的厚度范围为10~40nm。本实用新型的AlxGa(1-x)N层具有较高能隙，从正极流出的空穴经过AlxGa(1-x)N层后会被均匀分散，然后空穴流到InGaN/GaN量子阱层中与电子复合而产生光子，可提高发光均匀性，且无需借助复杂的芯片工艺就可以解决LED芯片中电流拥堵的问题。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，电子阻挡层，P型GaN层，接触层；所述P型GaN层和所述接触层之间还生长有空穴扩展层。
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