[实用新型]发光二极管和发光装置有效

专利信息
申请号: 201520371774.5 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN204668358U 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 金彰渊;朴柱勇;孙成寿 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 韩国京畿道安山市檀*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开一种散热效率提升的发光装置和一种发光二极管。根据本实用新型的发光装置包括:发光二极管;基板,其包括基座及所述基座上的导电性图案,基板贴装所述发光二极管;其中,所述发光二极管包括:第一凸块及第二凸块,其位于所述发光结构体的下部,与所述导电性图案接触,分别与所述第一金属层及所述电极层电连接;及,散热电极,其位于所述发光结构体的下部,与所述基座接触;其中,所述第一凸块、第二凸块及所述散热电极相互隔开,散热电极的热传导性高于所述第一及第二凸块的热传导性。因此,提供一种散热效率提升、制造方法简单的发光装置。
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
一种发光装置,其特征在于,包括:发光二极管;以及基板,所述基板包括基座及位于所述基座上的导电性图案,且所述基板贴装到所述发光二极管,所述发光二极管包括:发光结构体,所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层;部分地去除所述活性层及所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层的下表面部分地露出的区域;电极层,位于所述第二导电型半导体层的下面而形成欧姆接触;第一金属层,其通过所述第一导电型半导体层露出的所述区域而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触;第一绝缘层,其部分地覆盖所述第一金属层和所述电极层;第一凸块及第二凸块,其位于所述发光结构体的下部而与所述导电性图案接触,所述第一凸块及所述第二凸块分别与所述第一金属层及所述电极层电连接;以及散热电极,其位于所述发光结构体的下部且与所述基座接触;其中所述第一导电型半导体层部分地露出的所述区域包括所述第一导电型半导体层露出的多个孔以及连接所述孔的至少一个连接孔,而所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极相互隔开,所述散热电极的热传导性高于所述第一凸块及所述第二凸块的热传导性。
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