[实用新型]功率NPN型晶体管

摘要

功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。本实用新型的版图，采用横排和竖排叉指状的发射区分布，不仅开关速度快，分布限流效果好。

主权项

功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征是，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，所述基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。