[发明专利]用于转移层的处理有效
| 申请号： | 201511034378.4 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105679648B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | M·波卡特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及，将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤，所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 处理 | ||
【主权项】：
一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：‑将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；‑将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及‑将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤；所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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