[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510999747.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105895667B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘飞航 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基底；位于半导体基底上的有源区，有源区具有栅极、源极和漏极；位于半导体基底上的闭合金属环状结构，用于包围有源区并通过接收电压以形成耗尽隔离层。本发明中耗尽隔离层通过电场耗尽形成，因此不存在现有隔离工艺带来的缺陷；可通过调节施加在闭合金属环状结构上的电压以形成不同深度的耗尽隔离层，因此隔离深度可控、隔离效果好；闭合金属环状结构的厚度较薄，不会造成明显的平坦化问题，且其可靠性高、制造工艺简单、不需要精确控制、成本也较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区，所述有源区具有栅极、源极和漏极；位于所述半导体基底上的闭合金属环状结构，用于包围所述有源区，并通过接收正电压耗尽所述半导体基底中的空穴以形成耗尽隔离层，或者通过接收负电压耗尽所述半导体基底中的电子以形成耗尽隔离层。
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