[发明专利]具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构有效
| 申请号： | 201510987777.6 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106252327B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/48;H01L21/768;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：形成在衬底上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的介电层。半导体器件结构还包括：形成在介电层中和第一金属层上方的粘合层和形成在介电层中的第二金属层。第二金属层电连接至第一金属层，并且粘合层的部分形成在第二金属层和介电层之间。粘合层包括第一部分，第一部分内衬有第二金属层的顶部，并且第一部分具有沿着垂直方向的延伸部分。本发明实施例涉及具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 结构 场效应 晶体管 finfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：第一金属层，形成在衬底上方；介电层，形成在所述第一金属层上方；粘合层，形成在所述介电层中和所述第一金属层上方；以及第二金属层，形成在所述介电层中，其中，所述第二金属层电连接至所述第一金属层，所述粘合层的部分形成在所述第二金属层和所述介电层之间，并且其中，所述粘合层包括第一部分，所述第一部分作为所述第二金属层的顶部的衬垫，并且所述第一部分具有沿着垂直方向的延伸部分，与所述介电层直接接触的所述第二金属层的宽度在从所述第二金属层的顶部到底部的方向上逐渐减小。
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