[发明专利]一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法，位于所述述基区背离所述漂移区一侧、且沿第二方向间隔设置的多个第一辅助沟槽和多个第二辅助沟槽，所述第一辅助沟槽和第二辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一辅助沟槽与所述第一常规沟槽相连通，所述第二辅助沟槽与所述第二常规沟槽相连通。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置第一辅助沟槽和第二辅助沟槽，且第一辅助沟槽与第一常规沟槽相连通，第二辅助沟槽与第二常规沟槽相连通，以间接缩短第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距，提高了沟槽栅型IGBT芯片的关断速度，提高了沟槽栅型IGBT芯片的性能。

主权项

1.一种沟槽栅型IGBT芯片，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧、且沿第一方向设置的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；以及，位于所述述基区背离所述漂移区一侧、且沿第二方向间隔设置的多个第一辅助沟槽和多个第二辅助沟槽，所述第一辅助沟槽和第二辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一辅助沟槽与所述第一常规沟槽相连通，所述第二辅助沟槽与所述第二常规沟槽相连通，所述第一辅助沟槽内设置有第一辅助栅层，所述第一辅助沟槽的内壁与所述第一辅助栅层之间设置有第一辅助栅氧化层，所述第二辅助沟槽内设置有第二辅助栅层，所述第二辅助沟槽的内壁与所述第二辅助栅层之间设置有第二辅助栅氧化层，其中，所述第一方向与第二方向相交。