[发明专利]硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用有效

专利信息
申请号: 201510727312.7 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN106637289B 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 赵国华;张亚军 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B1/02
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 赵志远
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用,属于光电极材料领域。将具有可见光特性的硒化镉量子点均匀沉积包覆于二氧化钛纳米棒阵列基底电极表面,制备得到硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极。并将硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极用于光电催化生物质衍生物氧化促进制氢。与现有技术相比,本发明构筑出硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极光电催化生物质衍生物葡萄糖氧化促进制氢。硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极不仅呈现出优异光电化学性能和可重复性,而且具有超高的光电催化葡萄糖氧化制氢活性。
搜索关键词: 硒化镉量子点 二氧化钛纳米棒 敏化 光电极 异质结构 制氢 制备 生物质衍生物 葡萄糖 光电催化 二氧化钛纳米棒阵列 光电化学性能 基底电极表面 光电极材料 均匀沉积 可重复性 可见光 电催化 包覆 应用 构筑
【主权项】:
1.一种硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极的制备方法,其特征在于,将具有可见光特性的硒化镉量子点均匀沉积包覆于二氧化钛纳米棒阵列基底电极表面,制备得到硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极,包括以下步骤:(1)制备二氧化钛纳米棒基底电极:将钛源滴入酸溶液中,持续搅拌后,将上述混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬不锈钢高压反应釜内,随后将表面清洗干净的FTO电极置于混合溶液当中,且其导电面向下放置;50~200℃持续反应3~6h;待冷却至室温时,用二次蒸馏水清洗电极表面,制备得到二氧化钛纳米棒基底电极;(2)制备硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极:将步骤(1)得到的二氧化钛纳米棒基底电极置于Na2SeSO3、Cd(NO3)2和柠檬酸钠混合溶液当中,随后水浴反应后,用二次蒸馏水清洗样品电极表面,制备得到硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极。
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