[发明专利]非挥发性存储器

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器，包括基底、浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置栅极晶体管与选择晶体管之间。所述非挥发性存储器可有效地降低选择晶体管所承受到的应力。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：基底；浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管，设置于所述基底上且彼此串接，其中所述应力释放晶体管位于所述浮置栅极晶体管与所述选择晶体管之间，所述浮置栅极晶体管包括：浮置栅极，设置于所述基底上；第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及第一介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间，所述选择晶体管包括：选择栅极，设置于所述基底上；第三掺杂区与第四掺杂区，分别设置于所述选择栅极两侧的所述基底中；以及第二介电层，设置于所述选择栅极与所述基底之间，所述应力释放晶体管包括：应力释放栅极，设置于所述基底上；所述第二掺杂区与所述第三掺杂区，其中所述第二掺杂区位于所述浮置栅极与所述应力释放栅极之间，且所述第三掺杂区位于所述选择栅极与所述应力释放栅极之间；以及第三介电层，设置于所述应力释放栅极与所述基底之间；至少一第一阱区，设置于所述基底中，其中所述第一掺杂区至第四掺杂区位于所述至少一第一阱区中；以及第一电容器与第二电容器，其中所述第一电容器、所述第二电容器与所述浮置栅极晶体管分离设置且彼此耦接,所述第一电容器包括：所述浮置栅极；至少一第五掺杂区，设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及第四介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间，所述第二电容器包括：所述浮置栅极；至少一第六掺杂区，设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及第五介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间。