[发明专利]在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器有效
| 申请号： | 201510583996.8 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105220112B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;王宇东;吴先映;张旭;罗军 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/32;H01L31/18;H01L31/115;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 李冬梅,苗源 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 czt 沉积 dlc 方法 半导体 探测器 | ||
【主权项】：
一种在多晶碲锌镉上沉积类金刚石碳膜的方法，其特征在于，包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶碲锌镉的晶体表面沉积第一层类金刚石碳膜；在所述第一层类金刚石碳膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层，在所述第一层类金刚石碳膜和所述薄膜过渡层之间，采用金属离子源注入方法注入金属钛层；该薄膜过渡层为聚酰亚胺膜或氧化铝膜层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层类金刚石碳膜。
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