[发明专利]双层可见光红外混合成像探测器像元结构及其制备方法有效
申请号: | 201510546375.2 | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105161507B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/09;H01L31/02;B81B7/02;H01L27/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了双层可见光红外混合成像探测器像元结构及其制备方法,包括:衬底;位于衬底下表面的可见光感应区域、金属互连以及位于衬底上表面的红外感应区域;红外感应区域包括:第一、第二红外感应结构、接触沟槽结构、支撑部件、介质层;第一红外感应结构位于介质层上;第一红外感应结构与第二红外感应结构都与接触沟槽结构相连,接触沟槽结构与金属互连相连,通过接触沟槽结构将第一红外感应结构和第二红外感应结构所形成的电信号传输到金属互连;第一红外感应结构下方的衬底中具有第一空腔,第二红外感应结构与第一红外感应结构之间具有第二空腔;支撑部件与第二红外感应结构之间具有第三空腔;具有第四释放孔的介质层下方的衬底中具有第四空腔。 | ||
搜索关键词: | 红外感应 接触沟槽 金属互连 介质层 衬底 红外感应区域 探测器像元 可见光 混合成像 支撑部件 空腔 制备 衬底上表面 衬底下表面 电信号传输 可见光感应 第二空腔 第一空腔 释放孔 | ||
【主权项】:
1.一种双层可见光红外混合成像探测器像元结构,其特征在于,包括:一半导体衬底,作为可见光过滤层;可见光感应区域,位于所述半导体衬底下表面,所述可见光感应区域包括可见光感应部件和接触部件;金属互连,位于所述半导体衬底下表面;所述金属互连与所述可见光感应区域的所述接触部件相连;红外感应区域,位于半导体衬底上表面,并且具有双层红外感应结构,其包括:第一空腔,位于所述半导体衬底中;介质层,覆盖于所述第一空腔和所述半导体衬底上表面;位于所述半导体衬底上表面的所述介质层中具有第一释放孔,所述第一释放孔下方的所述半导体衬底中具有第二空腔;接触沟槽结构,位于所述第一空腔两侧的所述介质层中;接触孔,其顶部与所述接触沟槽结构相连,其底部与所述金属互连相连;第一红外感应结构,位于所述第一空腔上方的所述介质层上,所述第一红外感应结构边缘与所述接触沟槽结构相连;所述第一红外感应结构和所述第一红外感应结构下方的所述介质层中具有第二释放孔;第二红外感应结构,位于所述第一红外感应结构之上,且所述第二红外感应结构边缘与所述接触沟槽结构相连;所述第二红外感应结构与所述第一红外感应结构之间构成第三空腔;支撑部件,位于所述第二红外感应结构的外围且与所述第二红外感应结构不接触;所述支撑部件的两侧具有支撑孔,所述支撑部件的顶部具有第三释放孔;所述支撑孔底部位于所述接触沟槽结构外侧的所述介质层上;所述支撑部件与所述第二红外感应结构之间具有第四空腔,并且所述第二红外感应结构和所述支撑部件之间具有连通的空隙;所述支撑部件的内表面具有红外反射材料或者整个所述支撑部件为红外反射材料;其中,可见光和红外光从所述半导体衬底下表面射入,通过所述可见光感应区域,部分所述可见光被所述可见光感应部件吸收;经所述半导体衬底过滤掉可见光后,红外光透过所述半导体衬底之后进入所述第一空腔,然后进入所述第一红外感应结构且部分所述红外光被所述第一红外感应结构吸收;未被所述第一红外感应结构吸收的红外光继续穿过所述第三空腔进入所述第二红外感应结构且部分所述红外光被所述第二红外感应结构吸收;未被所述第二红外感应结构吸收的红外光进入所述第四空腔,然后被所述红外反射材料反射回到所述第二红外感应结构,进而被所述红外感应结构吸收。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510546375.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的