[发明专利]再回收废弃REBCO超导体块材的方法有效
| 申请号： | 201510536573.0 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105039715B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;崔祥祥;钱俊;相辉;梁昆 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22B7/00 | 分类号： | C22B7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 郭婧婧 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种再回收废弃的REBCO超导体块材的方法，包括以下步骤步骤一，将废弃的REBCO超导体块材置于生长炉内进行热处理；步骤二，对所述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；步骤三，将顶面磨平处理后的所述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长工艺，实现废弃的REBCO超导体块材的回收生长。本发明引入了热处理的工艺步骤，将废弃的REBCO块材预先经过高温再熔融的处理，并且该高温不受籽晶热稳定性的限制，可以促使废弃REBCO块材的组分的再均匀化，有利于再回收REBCO块材的性能提高，操作简单，经济高效。 | ||
| 搜索关键词： | 回收 废弃 rebco 超导体 方法 | ||
【主权项】：
一种再回收废弃的REBCO超导体块材的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，将废弃的REBCO超导体块材置于生长炉内进行热处理；步骤二，对所述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；步骤三，将顶面磨平处理后的所述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长工艺，实现废弃的REBCO超导体块材的回收生长；所述热处理为使所述废弃的REBCO超导体块材的温度在1100℃～1300℃内保温1～5小时，随后随炉冷却至室温。
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