[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 201510501921.0 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105428227A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 小川有人;竹林雄二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在衬底上形成薄膜时，将生成的副产物排出到处理室外。本发明提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序：通过将对衬底供给第一处理气体的工序、对所述衬底供给第二处理气体的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理气体及所述第二处理气体反应生成的副产物进行反应的第三处理气体的工序进行规定次数，由此在所述衬底上形成膜，供给所述第一处理气体的工序、供给所述第二处理气体的工序及供给所述第三处理气体的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行，供给所述第三处理气体的工序与供给所述第一处理气体的工序及供给所述第二处理气体的工序中的至少任一项工序同时进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：通过将对衬底供给第一处理气体的工序、对所述衬底供给第二处理气体的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理气体及所述第二处理气体反应生成的副产物进行反应的第三处理气体的工序进行规定次数，由此在所述衬底上形成膜，供给所述第一处理气体的工序、供给所述第二处理气体的工序及供给所述第三处理气体的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行，供给所述第三处理气体的工序与供给所述第一处理气体的工序及供给所述第二处理气体的工序中的至少任一工序同时进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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