[发明专利]一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201510492035.6 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105002557A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘依依;葛文星;付少永;熊震 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*1015-1.02*1017atoms/cm3，硼元素1015-1017atoms/cm3,锗元素1016-2*1019atoms/cm3。同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镓锗硼共掺 多晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镓硼锗共掺多晶硅，其特征在于：在多晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02*1015‑1.02*1017 atoms/cm3，硼元素1015‑1017atoms/cm3，锗元素1016‑2*1019atoms/cm3。
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