[发明专利]具有PN结的GaN外延结构

摘要

本发明提供了一种具有PN结的GaN外延结构。该外延结构包括衬底；形成在衬底上的成核层；形成在成核层上的P型GaN半导体层；形成在P型GaN半导体层上的N型GaN半导体层，N型GaN半导体层与P型GaN半导体层形成PN结；形成在N型GaN半导体层上的GaN器件，GaN器件最底层的材料与N型GaN半导体层的材料相同；P型GaN半导体层和N型GaN半导体层的掺杂浓度等于或略高于本征载流子浓度，GaN器件最底层的掺杂浓度高于N型GaN半导体层的掺杂浓度，P型GaN半导体层的载流子被N型GaN半导体层和GaN器件最底层完全耗尽。本发明能够利用远离沟道的PN结降低来自衬底的漏电流。

主权项

一种具有PN结的GaN外延结构，其特征在于，包括：衬底；成核层，所述成核层形成在所述衬底上；P型GaN半导体层，所述P型GaN半导体层形成在所述成核层上；N型GaN半导体层，所述N型GaN半导体层形成在所述P型GaN半导体层上，并与所述P型GaN半导体层形成PN结；GaN器件，所述GaN器件形成在所述N型GaN半导体层上，所述GaN器件最底层的材料与所述N型GaN半导体层的材料相同；其中，所述P型GaN半导体层和所述N型GaN半导体层的掺杂浓度等于或略高于GaN半导体的本征载流子浓度，所述GaN器件最底层的掺杂浓度高于所述N型GaN半导体层的掺杂浓度，所述P型GaN半导体层的载流子被所述N型GaN半导体层以及所述GaN器件最底层完全耗尽。