[发明专利]空穴注入层以及空穴传输层

摘要

本发明涉及空穴注入层或空穴传输层。所述空穴注入层由有机电子用材料形成，所述有机电子用材料为至少含有离子化合物和具有空穴传输性单元的化合物的有机电子用材料，所述具有空穴传输性单元的化合物以下称为空穴传输性化合物，其特征在于，所述离子化合物由抗衡阳离子和抗衡阴离子组成，所述抗衡阳离子为H+、碳阳离子、氮阳离子、氧阳离子和具有过渡金属的阳离子中的任1种或2种以上。

主权项

1.一种空穴注入层，其由有机电子用材料形成，所述有机电子用材料为至少含有离子化合物和具有空穴传输性单元的化合物的有机电子用材料，所述具有空穴传输性单元的化合物以下称为空穴传输性化合物，所述离子化合物由抗衡阳离子和抗衡阴离子组成，所述抗衡阳离子包含氮阳离子，所述氮阳离子包含选自由NH4+、伯氮阳离子、仲氮阳离子、叔氮阳离子和季氮阳离子组成的组中的至少一种，所述伯氮阳离子表示N+和3个氢原子键合、其他的键和氢以外的原子键合的化合物，所述仲氮阳离子表示N+和2个氢原子键合、其他的键和氢以外的原子键合的化合物，所述叔氮阳离子表示N+和1个氢原子键合、其他的键和氢以外的原子键合的化合物，所述季氮阳离子表示N+和氢以外的原子键合的化合物。