[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

主权项

一种衬底处理装置，包括：处理室，其具有第一处理区域及第二处理区域；衬底载置台，其旋转自如地设置在所述处理室内，并载置作为处理对象的衬底；和旋转机构，其使所述衬底载置台旋转，以使得所述衬底依次通过所述第一处理区域、所述第二处理区域，在所述第一处理区域和所述第二处理区域中的至少一个区域内，设置有：气体供给部，其具有开口部和气体缓冲空间，所述开口部在所述衬底载置台的旋转径向上延伸、并且由当俯视时连续成长条状并且长度方向的长度比所述衬底的直径长的开口形成，所述气体缓冲空间在所述衬底载置台的旋转径向上延伸、并且以在比所述开口更靠近气体喷出方向的上游侧的位置处与所述开口连通的方式形成，所述气体供给部经由所述气体缓冲空间从所述开口部向所述至少一个区域内供给气体；和空隙保持部件，其在所述开口部的周围从与所述衬底相对的所述处理室的顶面朝向所述衬底侧突出，以使得成为通过所述气体供给部供给的气体的流路的、所述衬底的表面上部空间为规定间隔的空隙。