[发明专利]一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺在审
| 申请号： | 201510411602.0 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104962968A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 樊斌锋;王建智;柴云;张欣;何铁帅;张伟华 | 申请（专利权）人： | 灵宝华鑫铜箔有限责任公司 |
| 主分类号： | C25D5/48 | 分类号： | C25D5/48;C23C22/05 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新;周闯 |
| 地址： | 472500 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌1.5~3.5小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2－4g/l，KBM-703的浓度为0.5－1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。铜箔处理层表面的羟基与完成水解的KBE-903、KBM-703发生缩合反应形成化学键，提高了基膜（PI薄膜）与铜箔的抗剥离强度值；并且通过KBE-903、KBM-703形成复合溶液，进一步提升了铜箔的抗剥离强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电解 铜箔 剥离 强度 工艺 | ||
【主权项】：
一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：①溶液制备：分别将3‑氨基丙基三乙氧基硅烷和γ‑氯丙基三乙氧基硅烷加入到水中，常温搅拌1.5~3.5小时，所得溶液中3‑氨基丙基三乙氧基硅烷的浓度为2－4g/l，γ‑氯丙基三乙氧基硅烷的浓度为0.5－1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灵宝华鑫铜箔有限责任公司，未经灵宝华鑫铜箔有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510411602.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
