[发明专利]双极结晶体管（BJT）基极导体回调有效
| 申请号： | 201510367012.2 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105895676B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 徐力田;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一些实施例针对一种双极结晶体管(BJT)，BJT具有形成在半导体衬底的主体内的集电极区以及布置在半导体衬底的上表面上方的发射极区。BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极层内并且与导电基极层接触，导电基极层将电流传递至基极区。相对于一些传统的方法，基极区包括平坦底面，平坦底面增大了基极区和半导体衬底之间的接触面积，因此减小了集电极/基极结处的电阻。基极区也可以包括基本上垂直的侧壁，基本上垂直的侧壁增大了基极区和导电基极层之间的接触面积，因此改进了至基极区的电流传递。本发明的实施例还涉及双极结晶体管(BJT)基极导体回调。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 bjt 基极 导体 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：/n集电极区，布置在半导体衬底的主体内，所述集电极区具有第一导电类型；/n基极电介质，布置在所述半导体衬底的上表面上方并且包括位于所述集电极区上方的基极电介质开口；/n基极区，布置在所述基极电介质开口内，所述基极区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且在集电极/基极结处与所述集电极区接触；/n基极层，具有与所述基极区的外侧壁接触的下部内侧壁和在所述基极区的最高表面上方朝向所述下部内侧壁包围区域内横向延伸的上部侧壁，所述基极层在所述基极电介质的上表面上方横向延伸；以及/n发射极区，位于所述基极区上方，所述发射极区具有所述第一导电类型并且在基极/发射极结处与所述基极区接触。/n
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