[发明专利]一种陶瓷基覆铜板的制造方法在审
申请号: | 201510346890.6 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105152689A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 祝土富;但敏;金凡亚;沈丽如;童洪辉;谢新林;高明智;杨念群 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院;武汉光谷创元电子有限公司 |
主分类号: | C04B41/90 | 分类号: | C04B41/90 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法,所述方法包括:陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜,真空镀膜根据产品的要求,可采用两种膜系:①金属沉积层/铜沉积层;②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低,制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 铜板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种陶瓷基覆铜板的制造方法,其特征在于包括以下工序:(1)陶瓷基板清洗;(2)陶瓷基板的离子束清洗活化;(3)陶瓷基板的金属离子注入;(4)陶瓷基板的真空镀膜;(5)电镀增厚铜膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;武汉光谷创元电子有限公司,未经核工业西南物理研究院;武汉光谷创元电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510346890.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种利用落叶制备树木营养液的方法
- 下一篇:圆管外径环规检测装置