[发明专利]浮置栅极与非挥发性存储单元的制造方法

摘要

本发明公开一种浮置栅极与非挥发性存储单元的制造方法，浮置栅极的制造方法包括下列步骤。提供具有多个隔离结构的基底，隔离结构的顶面高于基底的顶面。在基底上形成第一导体层。在第一导体层上形成牺牲层。移除部分牺牲层，而保留隔离结构之间的第一导体层上的牺牲层。以牺牲层为掩模，移除部分第一导体层，以于相邻的隔离结构之间形成导体结构。移除牺牲层。在基底上形成第二导体层，第二导体层电连接导体结构。以及图案化第二导体层与导体结构，以形成浮置栅极。

主权项

1.一种浮置栅极的制造方法，包括：提供具有多个隔离结构的基底，所述隔离结构的顶面高于所述基底的顶面；在所述基底上形成第一导体层；在所述第一导体层上形成牺牲层；移除部分所述牺牲层，而保留所述隔离结构之间的所述第一导体层上的所述牺牲层；以所述牺牲层为掩模，移除部分所述第一导体层，以于相邻的所述隔离结构之间形成导体结构；移除所述牺牲层；在所述基底上形成第二导体层，所述第二导体层电连接所述导体结构；以及图案化所述第二导体层，经图案化的所述第二导体层与所述导体结构共同形成浮置栅极，其中，该第一导体层与该牺牲层具有适当的蚀刻选择比。