[发明专利]添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510330692.0 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104878240A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王同敏;邹存磊;李廷举;康慧君;陈宗宁;王维;李仁庚 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C22C1/10 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料及其制备方法，所述添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料，包括重量配比如下的各组分：0.5-2wt％的TiB2、0.02-0.10wt％的La、余量为Cu。本发明通过合金化法，在Cu-TiB2复合材料中添加一定量的稀土元素La，表面活性较高的La能使TiB2在生成阶段生成细小的TiB2颗粒，在复合材料凝固阶段分散TiB2颗粒，使之均匀弥散于铜金属基体中，因此获得了具有良好的综合性能的Cu-TiB2铜基复合材料。经检测添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料强度高，导电性佳。 | ||
| 搜索关键词： | 添加 稀土 la 原位 tib sub 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：0.5‑2wt％的TiB2、0.02‑0.10wt％的La、余量为Cu。
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