[发明专利]纳米线结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510278514.8 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105321991B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 傅劲逢;陈德芳;严佑展;李佳颖;李俊鸿;林焕哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种器件，器件包括具有第一图案的第一组纳米线、具有第二图案的第二组纳米线、具有第三图案的第三组纳米线和具有第四图案的第四组纳米线，其中，第一图案、第二图案、第三图案和第四图案形成重复图案。本发明还涉及纳米线结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 纳米线 纳米线结构 图案形成 重复图案 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：对第一光刻胶层应用第一图案化工艺，其中，在牺牲层上方形成所述第一光刻胶层，并且其中，在衬底上方形成所述牺牲层；通过第一蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第一开口；对第二光刻胶层应用第二图案化工艺，其中，在所述牺牲层上方形成所述第二光刻胶层；通过第二蚀刻工艺在所述牺牲层中形成第二开口，其中，所述第二开口和所述第一开口以交替方式布置；以及基于所述第一开口形成第一纳米线并基于所述第二开口形成第二纳米线。
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