[发明专利]一种制备太阳能黑硅电池的方法在审
申请号: | 201510275434.7 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104992991A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 黄明;杨晓琴;陈圆;金阳;张广路;张宇 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备太阳能黑硅电池的方法,包括以下步骤:在正常制绒后硅片表面沉积纳米银颗粒;通过金属催化化学刻蚀方法形成纳米级绒面;在使用修正液修饰纳米绒面,改善纳米绒面的均匀性;使用硝酸浸泡去除纳米银颗粒;使用盐酸和双氧水去除金属离子;使用氢氟酸浸泡去除氧化层,使硅片表面容易脱水;最后使用甩干机甩干。甩干后的硅片依次进行后续电池生产工艺流程制成黑硅电池。应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅,同时该方法成本较低,工艺流程简单,且可以直接制备大面积的黑硅,具有较高的制备效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 太阳能 电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制备太阳能黑硅电池的方法,其特征在于:包括:取制绒后硅片,采用金属催化、化学刻蚀方法形成纳米绒面;使用修正液修饰绒面,保证绒面良好的均匀性和平整度;使用硝酸去除多余的纳米银颗粒;使用盐酸加双氧水混合液清洗去除金属离子;使用氢氟酸去除表面氧化层,使硅片表面呈疏水性;最后利用烘干机烘干硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的