[发明专利]一种大面积纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201510274630.2 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104986728B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;贾棋;斯蒂芬·福斯柯;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列，其中，所述衬底在离子束辐照过程中的加热温度至少要达到材料的再结晶温度，最高为到材料表面台阶Ehrlich‑Schwoebel势垒失效温度，所述衬底为单晶材料，所述离子束产生的离子动能为50eV到100keV之间；采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米线阵列。
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