[发明专利]IGBT背面金属化退火的工艺方法有效
| 申请号： | 201510270323.7 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104992965B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马彪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT背面金属化退火的工艺方法，包含在正面工艺完成之后，进行背面减薄、离子注入及退火工艺；进行90秒1100缓冲氢氟酸清洗；形成Al、Ti、Ni、Ag的背面金属；将硅片与硅片背面紧贴，采用350摄氏度60分钟的常压炉管工艺。本发明工艺在保证硅片背面金属接触电阻较低的前提下避免了金属剥离的问题，使IGBT器件具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 背面 金属化 退火 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT背面金属化退火的工艺方法，其特征在于：包括：第一步，在正面工艺完成之后， 进行背面减薄、离子注入及退火工艺；第二步，进行90秒1:100的缓冲氢氟酸清洗；第三步，形成Al、Ti、Ni、Ag的背面金属；第四步，将硅片与硅片背面紧贴，中间不留空隙，采用常压的氮气氛围进行350摄氏度60分钟的常压炉管工艺。
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